- Jess***Jones
- 2026/04/17
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Infineon Technologies - BSP135 E6327 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - BSP135 E6327
| Attributs du produit | Valeur des attributs | |
|---|---|---|
| Fabricant | Infineon Technologies | |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 94µA | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Package composant fournisseur | PG-SOT223-4 | |
| Séries | SIPMOS® | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45Ohm @ 120mA, 10V | |
| Dissipation de puissance (max) | 1.8W (Ta) | |
| Package / Boîte | TO-261-4, TO-261AA | |
| Emballer | Tape & Reel (TR) |
| Attributs du produit | Valeur des attributs | |
|---|---|---|
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 146 pF @ 25 V | |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 4.9 nC @ 5 V | |
| type de FET | N-Channel | |
| Fonction FET | Depletion Mode | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 0V, 10V | |
| Tension drain-source (Vdss) | 600 V | |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 120mA (Ta) |
| ATTRIBUT | LA DESCRIPTION |
|---|---|
| État RoHS | RoHS non conforme |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut de portée | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies BSP135 E6327
| Attributs du produit | ![]() |
|||
|---|---|---|---|---|
| Modèle de produit | BSP135H6327XTSA1 | BSP135 E6906 | BSP129L6327 | BSP129L6327HTSA1 |
| Fabricant | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | - | - | - | - |
| type de FET | - | - | - | - |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | - | - | - | - |
| Fonction FET | - | - | - | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - | - | - | - |
| La technologie | - | - | - | - |
| Vgs (Max) | - | - | - | - |
| Type de montage | - | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| Tension drain-source (Vdss) | - | - | - | - |
| Package composant fournisseur | - | 196-NFBGA (12x12) | 16-PDIP | 64-VQFN (9x9) |
| Température de fonctionnement | - | -40°C ~ 85°C | 0°C ~ 70°C | -40°C ~ 85°C |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | - | - | - | - |
| Emballer | - | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - | - | - | - |
| Séries | - | - | - | - |
| Dissipation de puissance (max) | - | - | - | - |
| Package / Boîte | - | 196-LFBGA | 16-DIP (0.300', 7.62mm) | 64-VFQFN Exposed Pad |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - | - | - | - |
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BSP129H6906XTSA1Infineon
BSP129L6327Infineon TechnologiesN-CHANNEL POWER MOSFET
BSP135Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
BSP135 MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)
BSP135 H6327Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
BSP135 L6906Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
BSP135H6327Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
BSP135 L6327Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
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| Pays communs Référence du temps logistique | ||
|---|---|---|
| Région | Pays | Heure logistique (jour) |
| Amérique | États-Unis | 5 |
| Brésil | 7 | |
| L'Europe | Allemagne | 5 |
| Royaume-Uni | 4 | |
| Italie | 5 | |
| Océanie | Australie | 6 |
| Nouvelle-Zélande | 5 | |
| Asie | Inde | 4 |
| Japon | 4 | |
| Moyen-Orient | Israël | 6 |
| Référence des frais d'expédition DHL et FedEx | |
|---|---|
| Frais d'expédition (kg) | Référence DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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